
2 TB • PCIe 5.0 x4 • 14700 MB/s • 13400 MB/s
Un resumen de la descripción oficial del producto de Samsung.
Anunciado el 27 de febrero de 2025 y a la venta desde el 18 de marzo, el 9100 PRO lleva la línea PRO de Samsung a PCIe 5.0 x4 y NVMe 2.0. Samsung califica la serie con hasta 14,800/13,400 MB/s secuenciales (el modelo de 2TB a 14,700 MB/s de lectura), combina su propio controlador con V-NAND TLC y 2 GB de caché LPDDR4X, y afirma una eficiencia energética hasta un 49% mejor que la generación anterior, junto con un control térmico que describe como excepcional.
Valores oficiales de acceso secuencial y aleatorio del fabricante.
14700 MB/s — Lectura secuencial · 13400 MB/s — Escritura secuencial · 1850000 IOPS — Lectura aleatoria · 2600000 IOPS — Escritura aleatoria
Período de garantía y resistencia total de escritura.
1200 TBW — Resistencia total de escritura · 5 años — Período de garantía · 1,5 millones de horas — Tiempo medio entre fallos
Una guía de uso elaborada a partir de las especificaciones y las etiquetas de los editores; no es un resultado de pruebas.
Para creadores que necesitan formatos de vídeo profesionales y transferencia rápida.
AdecuadoPara jugar; etiquetado a partir de la frecuencia de refresco de la pantalla y la gama del chip. No hemos medido nosotros los fotogramas por segundo ni la temperatura.
AdecuadoPara un uso intensivo de trabajo; etiquetado a partir de las especificaciones de batería y pantalla. No hemos cronometrado nosotros la batería.
AdecuadoLa valoración de los editores de Kacbu a partir de las especificaciones que publica el fabricante. No probamos los dispositivos nosotros mismos, así que nada de lo que aparece aquí es un resultado medido. Lo que procede de un análisis independiente se muestra con el nombre de la publicación y la fecha en la sección Prensa.
En lugar de seguir el precio de venta actual, Kacbu conserva la información oficial de lanzamiento del producto como referencia.
La fecha oficial de anuncio del fabricante.
El comienzo del primer periodo de venta.
Samsung tiene su sede en Corea del Sur y diseña y fabrica ella misma tanto la controladora como la memoria V-NAND. La producción de NAND se concentra en sus plantas de Corea del Sur, mientras que el ensamblaje del módulo puede variar según el lote.
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Lo que los números de la ficha técnica significan realmente en el uso diario.
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